87:稳压二级管 要分清用途。
如果是要来用作基准的话，需要有一个最小的工作电流的，当然不能超过最大工作电流，而如

果是用来限制最高电压的话，这个工作电流范围是从0到最大稳压工作电流的。

88:2.5个平方的铜线 100米=0.7欧
   比焊锡低10-13倍

89:TTL电平和CMOS电平的注意点
比如5V电源系统中 CMOS电平在前 TTL电平在后，完全能兼容，反之则不能兼容。
在3.3V和5V的混合电源系统中，那就要更加注意前后级电压范围。
标准TTL电平：（5V）
1=输入>2V， 输出>2.4V（典型值3.4V）
0=输入<0.8V 输出<0.4V（典型值0.2V）

CMOS电平：（VDD=5V）
1=输入>3.5V（0.7VDD）， 输出>4.6V（0.9VDD）
0=输入<1.5V（0.3VDD）， 输出<0.05V（0.1VDD）

90:
现象：面板上的指示灯选什么颜色呢？我觉得蓝色比较特别，就选它吧
点评：其它红绿黄橙等颜色的不管大小（5MM以下）封装如何，都已成熟了几十年，价格一般都在5毛钱以下，而蓝色却是近三四年才发明的东西，技术成熟度和供货稳定度都较差，价格却要贵四五倍。目前蓝色指示灯只用在不能用其它颜色替代的场合，如显示视频信号
等。
91:
现象：我们这系统是220V供电，就不用在乎功耗问题了
点评：低功耗设计并不仅仅是为了省电，更多的好处在于降低了电源模块及散热系统的成本、由于电流的减小也减少了电磁辐射和热噪声的干扰。随着设备温度的降低，器件寿命则相应延长（半导体器件的工作温度每提高10度，寿命则缩短一半）
92:
现象：这些信号都经过仿真了，绝对没问题
点 评：仿真模型不可能与实物一模一样，连不同批次加工的实物都有差别，就更别说模型了。再说实际情况千差万别，仿真也不可能穷举所有可能，尤其是串扰。曾经 有一教训是某单板只有特定长度的包极易丢包，最后的原因是长度域的值是0xFF，当这个数据出现在总线上时，干扰了相邻的WE信号，导致写不进RAM。其 它数据也会对WE产生干扰，但干扰在可接受的范围内，可是当8位总线同时由0边1时，附近的信号就招架不住了。结论是仿真结果仅供参考，还应留有足够的余 量。

93:
现象一：这块单板已小批量生产了，经过长时间测试没发现任何问题
点评：硬件设计和芯片应 用必须符合相关规范，尤其是芯片手册中提到的所有参数（耐压、I/O电平范围、电流、时序、温度PCB布线、电源质量等），不能光靠试验来验证。公司有不 少产品都有过惨痛的教训，产品卖了一两年，IC厂家换了个生产线，咱们的板子就不转了，原因就是人家的芯片参数发生了点变化，但并没有超出手册的范围。如 果你以手册为准，那他怎么变化都不怕，如果参数变得超出手册范围了还可找他索赔（假如这时你的板子还能转，那你的可靠性就更牛了）。

现象二：这部分电路只要要求软件这样设计就不会有问题
点评：硬件上很多电气特性直接受软件控制，但软件是经常发生意外的，程序跑飞了之后无法预料会有什么操作。设计者应确保不论软件做什么样的操作硬件都不应在短时间内发生永久性损坏。

94:
时域和频域的关系

从表面上来看，时频域间的变换有多种形式，但基本可分成三个层次：1）拉普拉斯变换——适合于一般函数（或信号）的变换，时频域变换的最一般形式；2）傅立叶变换——拉普拉斯变换的变形，同样适应于一般函数；3）傅立叶级数变换——仅适用于周期函数（或信号），这是最为常用的时频域变换，因为实际有用的信号通常是周期性的；4）Z变换——离散化（或数字化）的形式，这是时频域变换在数字化处理时代的必然产物。

周期信号的频谱只会出现在0 w  2w  nw....
等离散频率点上。这种就称为离散谱
非周期信号的频谱是连续谱。

95:
金属-氧化物-半导体(l-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。
PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。