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半导体二极管的型号命名

已有 508 次阅读 2009-09-27 11:15 标签: 半导体二极管型号命名

半导体二极管的型号命名--E点城

半导体二极管的型号命名

1 ．国产半导体器件的命名方法

二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。

第一部分：用数字表示器件电极的数目。

第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。

第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。

第四部分：用数字表示器件序号。

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。

表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法

第一部分		第二部分		第三部分				第四部分	第五部分
符号	意义	字母	意义	字母	意义	字母	意义	意义	意义
2	二极管	A	N 型，锗材料	P	普通	X	低频小功率 (fa<3MHz ， Pc<1W)	反映二极管、三极管参数的差别	反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如 A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高
		B	P 型，锗材料	W	稳压管	X	低频小功率 (fa<3MHz ， Pc<1W)
		C	N 型，硅材料	Z	整流管	G	高频小功率 (fa>3MHz ， Pc<1W)
		D	P 型，硅材料	L	整流堆	G	高频小功率 (fa>3MHz ， Pc<1W)
3	三极管	A	PNP 型，锗材料	N	阻尼管	D	低频大功率 (fa<3MHz ， Pc>1W)
		B	NPN 型，锗材料	K	开关管	D	低频大功率 (fa<3MHz ， Pc>1W)
		C	PNP 型，硅材料	F	发光管	A	高频大功率 (fa>3MHz ， Pc>1W)
		D	NPN 型，硅材料	S	隧道管	A	高频大功率 (fa>3MHz ， Pc>1W)
		E	化合物材料	U	光电管	T	可控硅
						CS	场效应管
						BT	特殊器件

2 ．日本半导体器件的命名方法

日本半导体器件命名型号由五部分组成。

第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三

极管。

第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。

第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。

第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。

第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 · 2 所示。

表 5 ． 2 日本半导体器件的命名

3 ．美国半导体器件的命名方法

美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。

第一部分为前缀。

第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。

第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 ． 3 所示。

表 5 ． 3 美国半导体器件的命名