场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；

　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。用通俗易懂的话让你明白场效应管—就是一个电控开关！场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”。

　　场效应管符号：

　　与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点

　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；

　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。用通俗易懂的话让你明白场效应管—就是一个电控开关！场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”。

　　场效应管符号：

　　表示，关于它的构造原理由于比较抽象，我们是通俗化讲它的使用，所以不去多讲，由于根据使用的场合要求不同做出来的种类繁多，特性也都不尽相同;我们在mpn中常用的一般是作为电源供电的电控之开关使用，所以需要通过电流比较大，所以是使用的比较特殊的一种制造方法做出来了增强型的场效应管（MOS型），它的电路图符号：

　　AO4496技术参数

　　品牌：AOS

　　型号：AO4496

　　批号：19+

　　封装：SOP8

　　数量：300000

　　对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）制造商标准提前期：16 周系列：-

　　包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）

　　零件状态：在售

　　FET类型：P沟道

　　技术：MOSFET（金属氧化物）

　　漏源极电压（Vdss）：30V

　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10.5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，20V不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250?A不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：24nC@10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF@15V栅源电压 Vgss：±25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

　　不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：14毫欧@11A，20V工作温度：-55°C~150°C（TJ）安装类型：表面贴装(SMT)供应商器件封装：8-SOIC

　　封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）