一个PN结加上电引线封装起来就构成了二极管。下面就简要介绍一下PN节的构成以及其工作原理。

　　PN结名思义就是由p型半导体和n型半导体组成的半导体交接界面。对于p型半导体，由于在四价元素构成的半导体当中掺杂了三价元素，比如在硅中掺杂硼。三价元素的原子可以接受电子变成负离子，相应的，在共价键当中并产生了带一个正电荷的空穴，由于电子的移动与传递，在外可以表现出空穴的移动。而n型半导体，则相当于在硅中掺杂五价元素磷，由于五价元素的存在，便使电子增多，脱离原子核的吸引，而变成自由电子。

　　所以，当p型半导体和n型半导体相结合，两者的中间由于电子和空穴的浓度不同，产生扩散现象。当扩散现象进行到一定程度，两者交界处会由于电荷的中和形成内建电场，而内建电场的作用又会使得p型半导体当中的空穴和n型半导体中的电子产生漂移现象，也就是由于内建电场的作用，空穴和电子产生与扩散现象相反的方向的流动。这便是PN结的构成和工作原理。

　　我们都知道二极管有正向导通、反向截止的特性，这一特性正是由于PN结的正向特性和反向特性所决定的。对PN结而言，加正向的电压，也就是相当于二极管加正向电压。P端接电源正极。显然，此时外加电压与内建电场的场强方向是相反的。这便加剧了空穴和电子的扩散运动，而减少了漂移运动。由于p区的空穴量远多于电子数量，而n区的电子数量远多于空穴量，所以扩散运动可以变得比较强，在外也就表现出正向导通特性。而PN结所加反向电压时，其内建电场便会因为加电源的存在而得到加强。内建电场的加强使得扩散作用受到阻碍,同时也使得漂移现象得到加强，漂移现象的加强又使得内建电场的宽度得到增加。由于漂移运动是p区的电子和n区的空穴相互运动所产生的，其余数目过少，因而表现出很小的电流导通性。

　　此外，二极管其实还存在击穿现象。二极管在一定范围内的击穿，并不代表二极管的损坏。当二极管加反向电压达到一定的数值之后，二极管的电流会急剧增大，会产生雪崩击穿或者齐纳击穿。这两种击穿都有各自的特点，也有各自的作用，在这就不多说了。其原因都有一个共性，必然是PN结当中可运动的自由电子和自由空穴的增多。一种是高能的载流子对共价键的碰撞产生新的电子空穴，另一种是强大的电场直接将共价键破坏，产生电子和空穴对。

　　其实三极管和二极管有很大的相似之处，毕竟都离不开PN结。

　　AO3434技术参数

　　品牌：AOS

　　型号：AO3434A

　　批号：19+

　　封装：SOT23-3

　　数量：6999999

　　对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）制造商标准提前期：16 周

　　系列：-

　　包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）

　　零件状态：在售

　　FET类型：2个P沟道（双）

　　FET功能：逻辑电平门

　　漏源极电压（Vdss）：30V

　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.1A

　　不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：25毫欧@7.1A，10V不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V@250?A不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC@10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1250pF@15V功率（最大值）：2W工作温度：-55°C~150°C（TJ）

　　安装类型：表面贴装(SMT)

　　封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）

　　供应商器件封装：8-SOIC