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随机存取存储器

已有 120 次阅读  2019-10-18 15:57
  随机存取存储器(英语:Random Access Memory,缩写:RAM),也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外),而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入(存入)或读出(取出)信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性,即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
  存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件,是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两大类。
  随机存取存储器(RAM)既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失,所以RAM是易失性存储器。
  ROM为只读存储器,除了固定存储数据、表格、固化程序外,在组合逻辑电路中也有着广泛用途。
  特点
  随机存取
  所谓“随机存取”,指的是当存储器中的数据被读取或写入时,所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的静态随机存取存储器
  静态随机存取存储器
  位置无关。相对的,读取或写入顺序访问(Sequential Access)存储设备中的信息时,其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。 [3]
  当RAM处于正常工作时,可以从RAM中读出数据,也可以往RAM中写入数据。与ROM相比较,RAM的优点是读/写方便、使用灵活,特别适用于经常快速更换数据的场合。 [4]
  易失性
  当电源关闭时,RAM不能保留数据。如果需要保存数据,就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。 [3]
  RAM的工作特点是通电后,随时可在任意位置单元存取数据信息,断电后内部信息也随之消失。 [5]
  对静电敏感
  正如其他精细的集成电路,随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷,引致数据流失,甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前,应先用手触摸金属接地。 [3]
  访问速度
  现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的,存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比,也显得微不足道。 [3]
  需要刷新(再生)
  现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制),未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形,若不作特别处理,数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态,然后按照原来的状态重新为电容器充电,弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。
  AT24C64CN-SH-T技术参数
  品牌:AT
  型号:AT24C64CN-SH-T
  批号:2019
  封装:SOP3.9mm
  数量:9500
  对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)系列:74AC
  包装:带卷(TR)
  零件状态:过期
  功能:主复位
  类型:D类
  输出类型:差分
  元件数:1
  每元件位数:4
  时钟频率:244MHz
  不同V,最大CL时的最大传播延迟:9.5ns@5V,50pF触发器类型:正边沿输出电流高,低:24mA,24mA
  电源电压:2V~6V
  静态电流:40?A
  输入电容:4.5pF
  工作温度:-40°C~85°C(TA)
  安装类型:表面贴装(SMT)
  封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm宽)

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