DRAM通常被认为是一种类似石油的商品。和大多数商品一样，产品需求具有弹性，这也就意味着价格提高会抑制需求，价格降低则会增加和创造新用途。纵观历史态势，DRAM市场是主要IC产品细分市场波动最大的部分。在过去2年，2016年DRAM市场就下跌了8%，到2017年又增长了77%，这就是一个很好的例子。嵌入式开发

从2017年1月到2018年1月期间，DRAM的每位元价格与位元数量年增幅之间的相关系数为-0.88。因此，虽然系统制造商并没有因为价格上涨而在目前出货的电子设备中减少DRAM的使用量，但有很多关于一些智能手机生产商在下一代机型上减少DRAM的传言，将智能手机内置DRAM从5GB降至4GB。

过去30多年来，DRAM的价格持续下跌，仅1978年到2012年的34年间，DRAM每比特的平均价格就以33%的年平均速度下降。然而，从2012年到2017年，DRAM每比特平均价格年跌幅缩小至3%。到了2017年，DRAM价格逆转之前下跌态势，反涨47%，创1978年以来最大增幅。

在2018年，DRAM的主要供应商应该小心行事，如果让股东更开心，会进一步疏离DRAM客户群。如果初创的中国DRAM生产商能够在未来几年内推出一款具有竞争力的产品，DRAM的用户可能会涌向这些新的供应商，试图摆脱目前迫在眉睫的价格上涨压力。目前的DRAM大厂可能会遭到惨重报复。

韩国媒体businesskorea近日披露，清华紫光正与英特尔合作开发3D NAND闪存芯片。据悉，根据双方的合约，英特尔决定首先提供用于NAND闪存芯片的晶圆，然后再提供64层3D NAND闪存芯片。在英特尔的支持下，清华紫光的闪存产品不仅能够提高在销售方面的竞争力，还能提高其在市场上的品牌知名度。

一些市场观察人士表示，从今年年底开始生产32层3D NAND芯片的中国存储器芯片生产商与韩国同行之间的技术差距为三年。这是因为三星电子公司已于2014年8月首次在全球范围内批量生产32层3D NAND芯片，2015年8月份为48层3D芯片，2016年12月为64层芯片。更高层次和位元堆积的3D NAND芯片，就需要更高的技术水平。因此，单靠时间和精力并不能缩小技术差距。

两年来存储行业的强势价格走势，已经极大地影响了国内智能手机产业乃至整个IC 芯片行业的发展。现在不论是资本方、产业链还是终端的消费者，对内存相关的消息都异常地敏感和警惕。

国产半导体存储产业的进步，意味着以规模效应为特征、背后有着强力国家支持的力量进入了这个产业，对内存产业的整体发展无疑是有相当促进作用的，毕竟现在这个行当已经几乎进入了寡头竞争态势中。从普世科技进步的动力出发，许多人，许多中国人，都对国产内存的进步迭代乐见其成。另一方的观点则认为，国产内存在高频特性、兼容性等方面都可能面临相当的困难，是否能够吸引到足够多的客户，盈利空间和定价竞争力都需要经受考验，未必能对市场产生足够大的影响。

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