黄文胜的日志

供应AMCOM 砷化镓pHEMT晶体管 AM120WH2-CU-R

已有 134 次阅读 2016-02-03 10:51 标签: 晶体管砷化镓

PHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET）。在PHEMT的结构中还有一个i-InGaAs/i–GaAs异质结，该异质结的势垒高度（导带底的能量差）约为0.17eV；这样，就使得i-InGaAs沟道层成为了一个量子阱（底部倾斜的量子阱）,2-DEG即处于其中。因此，PHEMT中的2-DEG要比普通HEMT中的多受到一些限制（有势阱两边的双重限制作用），从而具有更高的电子面密度（约高2倍）；同时，这里的电子迁移率也较高（比GaAs中的高9 %），因此PHEMT的性能更加优越。总之PHEMT具有双异质结的结构，这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性，使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。

AMCOM 砷化镓pHEMT晶体管产品型号:

AM005WH2-BI-R*

AM005WX-BI-R

AM010WH2-BI-R

AM010WX-BI-R

AM020WH2-BI-R*

AM030WH2-BI-R*

AM030WH4-BI-R*

AM030WX-BI-R*

AM060WX-BI-R*

AM060WH2-CU-R

AM120WH2-CU-R . 型号 AM120WH2-CU-R，具有高频操作多达12 GHz，高增益&高功率 P1dB=39 dBm @3.5GHz，表贴封装，底部有效排热的特点。