射频放大器可分为高增益放大器、低噪声放大器、中-高功率放大器。放大器电路的核心是微波晶体管。 射频功率放大器（RF PA）是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到

AMCOM 低功率宽频带砷化镓放大器型号：AM284233MM-BM-R  AM284233MM-FM-R  工作频率范围 2.8 - 4.2GHz ，高输出功率P1dB = 33dBm ，高增益 34dB ，陶瓷封装，输入/输出阻抗完全匹配50-ohm 。AMCOM 低功率宽频带砷化镓放大器广泛应用于无线互联网接入，无限本地环路，双向无线电设备。 Model Frequency(GHz)

晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位。这些外部电路就称为偏置电路。类似行业应用推荐美国知名品牌 AMCOM  & Marki & Pulsar. AMCOM Bias

PHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET）。在PHEMT的结构中还有一个i-InGaAs/i–GaAs异质结，该异质结的势垒高度（导带底的能量差）约为0.17eV；这样，就使得i-InGaAs沟道层成为了一个量子阱（底部倾斜的量子阱）,2-DEG即处于其中。因此，PHEMT中的2-DEG要比普

晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基极、发射极和集电极处于所要求的电位。这些外部电路就称为偏置电路。类似行业应用有美国知名品牌 Marki  Marki低耗能偏置器BIAS <wbr&

微波波段划分：L波段 1~2GHz；S波段 2~4GHz；C波段 4~8GHz；X波段 8~12GHz；Ku波段 12~18GHz；K波段 18~27GHz；Ka波段 27~40GHz；U波段 40~60GHz；V波段 60~80GHz；W波段 80~100GHz.。针对S波段有美国知名品牌AMCOMAMCOM  Variable Phase Shifters 可变移相器产品型号：AM2050PM-VVP 。产品特征如下： 高带宽2 - 5 GH

环形器是一中多端口器件，电磁波在环形器的传输中只能沿单方向环行，反方向是隔离的。在近代雷达和微波多路通信系统通信系统的供应商中都要用单方向环行特性的器件，在微波多路通信系统中，用环形器可以把不同频率的信号分隔开。环行器在微波电路中具有用于中间耦合、极间耦合、去耦保护发射源、减少频率牵引、去干扰、分

AMCOM RF Transistors（微波晶体管）由 Discrete Power GaN HEMTs，GaAs FET (good linearity at back-off)，GaAs pHEMT (good power density and efficiency) 3种组成。 AMCOM Discrete Power GaN HEMTs  RF Transistors（高电子迁移率氮化镓微波晶体管）特征： 高频运行to 12 GHz； 高增益=15dB, P5dB=33.5dBm,