AMCOM RF Transistors（微波晶体管）由 Discrete Power GaN HEMTs，GaAs FET (good linearity at back-off)，GaAs pHEMT (good power density and efficiency) 3种组成。
AMCOM Discrete Power GaN HEMTs RF Transistors（高电子迁移率氮化镓微波晶体管）特征：
高频运行to 12 GHz；
高增益=15dB, P5dB=33.5dBm, PAE=51%, Drain =56% @ 3GHz ；
贴片封装；
有效散热底板。产品：AM005WN-BI-R
AMCOM Discrete Power GaN HEMTs RF Transistors（高电子迁移率氮化镓微波晶体管）应用于高动态接收机，蜂窝无线电基站，宽带/窄带放大器，雷达，测试仪器，军事，烦扰发射台。
同行业类似此产品有美国品牌Triquint。Triquint GaN HEMTs discrete transistor ——具有高功率效益，高功率密度，优越增益，耐用，宽频带运行，记录设置可靠性高于先前行业标准，先进的氮化镓技术。
产品：TGF2977-SM。特性参数如下：
工作频率范围：DC - 12 GHz；
输出功率：(P3dB): 6.0 W at 9.4 GHz；
线性增加：13 dB typical at 9.4 GHz；
Typical典型PAE3dB: 50% at 9.4 GHz；
运行电压： 32V；
低热阻包装；
连续波和脉冲波；
3 x 3 mm 包装。
Triquint GaN HEMTs discrete transistor 广泛应用于军用或民用雷达，专业/军事无线电通讯，测试仪器，宽带/窄带仪器，干扰发射台，基站收发站—基地，中继器，微细胞，宏单元网络，海洋收音机。
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