中港扬盛61变频电源IGBT设计与应用，取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑、层次阵度和围度。少子的衰减使集电电流具有特征尾流此形。

中港扬盛的变频电源中的IGBT，是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。从集电极衬底P+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),所以可以降低集电极一发射极间饱和电压。

IGBT的驱动原理与电力 MOSFET基本相同,通断由栅射极电压决定。

(1)    反向阻断。当集电极鼓施加一个反向电压时,就会受到反向偏压控制,耗尽层会关断向N区扩展。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以,这个机会十分重要,另一方面,如果过大地增加这个区域尺寸,就会连续地提高压降。

(2)    导通压降。电导调制效应使电阻Ra减小,使通态压降小；

(3)    导通。IGBT硅片的结构与功率 MOSFET的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P；

(4)    关断。当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N区内。在任何情况下,如果MOsF电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因换向开始后,在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低。

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