AO4449相关介绍
已有 117 次阅读 2019-08-30 15:38AO4449相关介绍
一般说明
AO4449采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和超低低栅极电荷。该器件可用作负载开关或PWM应用。
产品摘要
VOS-3oV
lo（在Vas = -10V）-7A
Rosionm（在Vas = -10V）<34m2
Rosfonm（Ves = -4.5V）<54mΩ
规格参数
FET类型：P沟道
漏源电压（Vdss）：30V
驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V
不同Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：16nC
Vgs（最大值）：±20V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大）@Vds：15V
工作温度：-55℃~1500C（TJ）
供应商器件封装：8-sOIC
无铅情况/RoHs：无铅/符合ROHs
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（1d）（250C时）：7A（Ta）
不同Id 时的Vgs（th）（最大值）：2.4V@250uA
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs：10V不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：910pF
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）：34毫欧@7A；10V
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-50IC（0.154"，3.90mm宽）
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