AO4449相关介绍 一般说明         AO4449 采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和超低低栅极电荷。该器件可用作负载开关或PWM应用。 产品摘要 VOS-3oV lo（在Vas = -10V）-7A Rosionm（在Vas = -10V）<34m2 Rosfonm（Ves = -4.5V）<54mΩ 规格参数 FET类型：

ADP3339AKCZ-3.3-R7小知识 一般说明        ADP3339AKCZ-3.3-R7是精密（ESR）的成员，可与任何高质量电容器保持稳定，包括低压差，anyCAP @电压调节器。 ADP3339AKCZ-3.3-R7陶瓷（MLCC）类型适用于空间受限的应用。该器件的输入电压范围为2.8 V至6 V，并且在室温和高达1.5A的负载电流下，ADP333

AD10242BZ详细规格参数介绍 制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 模数转换器 - ADC RoHS: 否 系列: AD10242 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: CLCC-68 分辨率: 12 bit 通道数量: 2 Channel 采样比: 40 MS/s 输入类型: Single-Ended 接口类型: Parallel

STTH10LCD06FP那些事儿 特征 ■超快速切换 ■低反向电流 ■低热阻 ■减少传导和开关损耗 ■绝缘封装TO-220FPAC：  - 绝缘电压：2500V rms  - 典型封装电容：12 pF 描述       STTH10LCD06FP 采用ST Turbo2技术。       该器件适用于平板显示器中的电源应用，

TPS5410DR那些事儿 描述       作为SWIFTM系列DC / DC稳压器的成员，TPS5410是一款高输出电流PWM转换器，集成了低阻高端N沟道MOSFET。具有所列功能的基板上包含一个高性能电压误差放大器，可在瞬态条件下提供严格的电压调节精度;一个欠压锁定电路，用于防止启动直到输入电压达到5.5 V;内部设置的慢启

LD7791GS小知识 一般性的描述       LD7791GS 是一款PPM聚焦行波管，专为地对卫通信发射机中的最终放大器管而设计。       这能够在13.75至14.5 GHz的范围内提供40 W的输出功率。       它在40 W电平时提供26 dB的中等功率增益。       此外，这

一文了解EM638325TS-6G 概述       EM638325TS-6G是一款包含64 Mbits的高速CMOS同步DRAM。它在内部配置为带有同步接口的四通道512K x32 DRAM（所有信号都在时钟信号的上升沿重置，CLK）。每个512K x32位组被组织为2048行×256列×32位。对SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始，并以编程

74ALVC164245DL小秘密 1.一般说明       74ALVC164245DL是一款高性能，低功耗，低电压，Si栅极CMOS器件，优于大多数先进的CMOS兼容TTL系列。       74ALVC164245DL 是一款16位（双八通道）双电源转换收发器，具有发送和接收方向的非反相3态总线兼容输出。它设计用于在3 V和5 V混合

TJA1042T那些事 1.描述信息       TJA1042T是一款高速CAN收发器，可在控制器局域网（CAN）协议控制器和物理双线CAN总线之间提供接口。该收发器专为汽车行业中的高速（高达1 Mbit /）CAN应用而设计，为（带微控制器）CAN协议控制器提供差分发送和接收功能。         TJA1042T

XC7A200T-2FFG1156I小秘密 一般说明       XC7A200T-2FFG1156I包含四个FPGA系列，可满足各种系统要求，包括低成本，小尺寸，成本敏感，大批量应用，超高端连接带宽，逻辑容量和信号处理能力适用于要求最苛刻的高性能应用。 7系列FPGA包括： ·Spartan @ -7系列：针对低成本，低功耗和高I / O性能