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FOD817DSD技术参数介绍

已有 113 次阅读  2018-12-04 14:16   标签FOD817DSD 

  FOD814由两个砷化镓红外发射二极管组成,反向并联连接,驱动4针双列线封装的Asilicon光敏电阻输出。

  FOD817系列由砷化镓红外发射二极管组成,驱动四引脚双内联封装中的硅光电晶体管。

  产品型号:FOD817DSD

  商品目录:光耦

  输入类型:DC

  通道数目:1

  隔离电压:5000Vrms

  输出电压(最大):70V

  输出电流(Max):50mA


  功能框图:

  安全和绝缘等级:

  根据DINEN/IEC60747-5-5,这种光耦合器仅适用于安全极限数据范围内的“安全电绝缘”。安全等级的遵守应通过保护电路来保证。

  绝对最大额定值:

  储存温度:-55至+150℃

  操作温度:-55至+110℃

  结温:-55至+125℃

  铅钎料温度:260℃10秒

  结至外壳热阻:210℃/W

  设备总功耗:200MW

  连续正向电流:50mA

  反向电压:6V

  功率耗散:70MW

  100℃以上降温:1.7 mW/℃


  检测器:

  订购信息:

  标记信息:

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