电子元器件细分的话，可以根据其作用分为功能器件和保护器件，顾名思义，功能器件就是能够实现程序命令的，而保护器件自然就是作为功能器件的保护神而存在。有保护器件保护的功能器件的使用年限就会得到很好的保障。在目前的保护器件市场中，TSS半导体放电管多用于半导体及敏感器件的保护，通常用于通讯信号线路的浪涌保护，以保护其内部的IC免受瞬间过压的冲击和破坏。本篇硕凯电子的小编将为大家带来半导体放电管TSS的显著特性参数。
半导体放电管是一种并联于线路中的开关型过压保护器件，平时处于开路状态，一旦有异常的过电压脉冲，达到其击穿电压时，会迅速的由高阻状态变为低阻状态，会把瞬间的浪涌电流旁路泄放掉，由于负阻的效应，而此时两端的电压小于4V以下，一旦异常电压消失，立即恢复到高阻状态。
TSS半导体放电管特性参数：
①断态电压 VRM 与漏电流 IRM：断态电压 VRM 表示半导体过压保护器 不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流 IRM。
②击穿电压 VBR：通过规定的测试电流 IR（一般为 1mA）时的电压， 这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。
③转折电压 VBO 与转折电流 IBO：当电压升高达到转折电压 VBO时，半导体过压保护器完全导通，呈现很小的阻抗， 两端电压 VT 立即下降到一个很低的数值 （一般为 5V 左右） 。
④峰值脉冲电流 IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。
⑤维持电流 IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。 一旦流过它的电流小于维持电流 IH，它就恢复到截止状态。
⑥静态电容 C：半导体过压保护器在静态时的电容值。
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