贾铁锋的日志

Alliance SDRAM与一般DRAM的区别

已有 197 次阅读 2014-11-06 17:30 标签: white style

· 　AllianceSDRAM与标准DRAM的主要不同表现在：

　　(1) 异步与同步。前面介绍的标准DRAM是异步DRAM，也就是说对它读/写的时钟与CPU的时钟是不一样的。而在SDRAM工作时，其读/写过程是与CPU时钟(PC机中是由北桥提供的)严格同步的。

　　(2) 内部组织结构。SDRAM芯片的内部存储单元在组织上与标准DRAM有很大的不同。在SDRAM内部一般要将存储芯片的存储单元分成两个以上的体(bank)。最少两个，目前一般做到4个。这样一来，当对SDRAM进行读/写时，选中的一个体(bank)在进行读/写时，另外没有被选中的体(bank)便可以预充电，做必要的准备工作。当下一个时钟周期选中它读或写时，它可以立即响应，不必再做准备。这显然能够提高SDRAM的读/写速度。而标准DRAM 在读/写时，当一个读/写周期结束后，RAS和CAS都必须停止激活，然后要有一个短暂的预充电期才能进入到下一次的读/写周期中，其速度显然会很慢。标准的DRAM可以看成内部只有一个体的SDRAM。

　　Alliance为了实现内部的多体并使它们能有效地工作，SDRAM就需要增加对于多个体的管理，这样就可以控制其中的体(bank)进行预充电，并且在需要使用的时候随时调用。一个具有两个体(bank)的SDRAM一般会多一条叫做BA0的引脚，实现在两个bank之间的选择：一般地，当BA0是低电平时，表示Bank0被选择；而当BA0是高电平时，Bank1就会被选中。显然，若芯片内有4个体(bank)时，就需要两条引线来选择，通常就是BA0和BA1。

　(3) 读/写方式。标准的DRAM的读/写都是每读/写一个存储单元，都按照一定的时序，在DRAM规定的读/写周期内完成存储单元的读/写。

　　这过程与CPU的时钟是异步的，不管CPU用几个时钟周期，只要满足CPU加到芯片上的读/写时间比DRAM所要求的长就可以。

　　Alliance对于SDRAM来说，对它的某一单元的读/写要同CPU时钟严格同步。所以，PC机的北桥芯片组主动地在每个时钟的上升沿给引脚发控制命令。这种情况在下面的时序中可以看到。

　　Alliance除了能够像标准DRAM那样一次只对一个存储单元读/写外，重要的是SDRAM还有突发读/写功能。突发(Burst)是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到的存储单元(列)的数量就是突发长度(Burst Lengths，BL)。这种读/写方式在高速缓存Cache、多媒体等许多应用中非常有用。