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IGBT/MOSFET驱动光耦TLP352(新型号) TLP352 是可直接驱动中等容量 IGBT 或者功率 MOSFET 的 DIP8 封装的 IC 耦合器。 TLP352 的最大延迟时间为 200 ns ,光电耦合器之间的传输延迟时间差 (PDD*) 为 90 ns( 上述延迟时间均为工作温度范围内的保证值 ), 能够减少停
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TLP700H 参数: 电源电压: 15 to 30 V 电源电流: 3.0 mA 温度:-40 to 1 25 ℃ 传播延迟时间:0. 5 隔离电压: 5000 Vrms PKG(包装): SDIP6 TLP700H绝对最大额定参数: 特点: 2.5峰值电流、高操作温度12
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DIP8封装的IC耦合器 TLP250H ,可直接驱动一个中等容量IGBT或功率MOSFET。它的最大的传递延迟时间为500ns,传播延迟偏差为±150ns。这样在逆变电路中能减少死区时间和提高效率。它的工作温度范围较宽,在-40°C和125°C间。最后,它还具有低功耗的优点。最小工作电压为10V 。 相比东芝以往的型号。它的应用范围
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IGBT/MOSFET 驱动光耦 TLP358/TLP358H 关键字: TLP358/58HF AC/DC MOSFET TLP358/TLP358H 参数: 电源电压: 15 to 30 V 电源电流: 2.0 mA 温度: -40 to 100 ℃ 传播延迟时间: 0. 5
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TLP2118E是性能价格比高的紧密型高速逻辑IC耦合器,虽然其性能等级与TLP2118的性能等级大致相同。由于TLP2118E 可执行15 Mbps的高速数据传输,它适用于工厂自动化(FA)装置或数字家电(例如等离子显示屏)(PDP)的高速通信接口。TLP2118E包含两条嵌入单SO8封装的 TLP118电路,与使用两个SO6包相比,可使所需
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TLP2118E是性能价格比高的紧密型高速逻辑IC耦合器,虽然其性能等级与TLP2118的性能等级大致相同。由于TLP2118E 可执行15 Mbps的高速数据传输,它适用于工厂自动化(FA)装置或数字家电(例如等离子显示屏)(PDP)的高速通信接口。TLP2118E包含两条嵌入单SO8封装的 TLP118电路,与使用两个SO6包相比,可使所需
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SO8双通道5Mbps高速光耦TLP2105,TLP2108 型号: TLP2105/TLP2108 品牌:Toshiba 封装:SO8 类型:5Mbps高速光耦 通道数:2 特点:低输入电流驱动,双输出 适用范围: 通信界面,PLC,测量仪器仪表 电源电压范围: -0.5~20V 工作温度范围: -40~10
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1Mbps高速光耦TLP104,TLP2404,TLP714,TLP754 IPM驱动光耦 东芝提供非常适合应用于智能功率模块(IPM)隔离接口的光耦。IPM驱动光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。因此,您可找到最适合您需求的光耦,可满足驱动IPM的各种输入配置(电平等级)。 1Mbps IPM驱动光
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型号:TLP2962 品牌:toshiba 封装:DIP8 类型:高速通信光耦 高速通信光耦特点: 数据率范围为20kbps至50Mbps的广泛产品阵容 具有吸收和源逻辑的光耦(TLP2395/2398) 3.3V驱动和低功耗 概要: 特点: 3.3 v / 5&nbs
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TLP2766 应用: 工厂自动化 高速数字接口 等离子显示板 特点: 逆变器逻辑类型(图腾柱输出) 封装: SDIP6 工作温度: -40 - 125 ℃ 数据传输速率:20 MBd(typ . )(NRZ) 阈值输入电流:3.5 mA(max) 电源
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