DIP8封装的IC耦合器TLP250H,可直接驱动一个中等容量IGBT或功率MOSFET。它的最大的传递延迟时间为500ns,传播延迟偏差为±150ns。这样在逆变电路中能减少死区时间和提高效率。它的工作温度范围较宽,在-40°C和125°C间。最后,它还具有低功耗的优点。最小工作电压为10V。
相比东芝以往的型号。它的应用范围很广,包括在高温环境中使用的工业设备,家用太阳能光伏发电系统,数字产品和测量和控制仪器。
TLP250H/TLP350H参数:
电源电压:15 to 30 V
电源电流:3.0mA
温度:-40 to 125 ℃
传播延迟时间:0.5
隔离电压:5000Vrms/3750Vrms
PKG(包装):DIP8
TLP250H应用:
IGBT /功率MOSFET栅极驱动器
功率调节器
通用变频器
TLP250H参数:
工作电源电压:V CC = 10到30V
传递延迟时间:t PLH,吨PHL = 500ns(最大值)
传播延迟偏差:±150ns的(最大)
工作温度范围:T OPR = -40°C至125°C
峰值输出电流:I OP =±2.5A(最大)
低输入电流:I FLH = 5毫安(最大)
绝缘电压:BV S = 5000Vrms(最小)
共模瞬态抑制: CMR =±40kV/μs
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