赵枫的日志

　国内21家IGBT产品主要制造单位现状

已有 176 次阅读 2012-07-13 09:28 标签: 产品单位

　　　二、微电子(如集成电路等)企业

　　5中国科学院微电子研究所

　　6上海华虹NEC电子有限公司

　　中国科学院微电子研究所成立于1986年，是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，下设4个研究室和两个制造部，现有在职员工442人，专业人员233人(科学院院士2名，高级研究人员81名)。设有博士学位和硕士学位授予点，导师31名(其中博士生导师14名)，在读研究生150人。

　　作为中国科学院“知识创新工程”试点单位，已建立起开放的0.13微米设计研究与教育平台。下设四室一部。四室为：1，硅器件与集成技术研究室;2，集成电路设计研究室 ;3，微细加工与纳米技术研究室 ;4，化合物半导体电子器件研究室。一部为：芯片制造部;从事双极电路、cmos电路、功率器件的加工服务，典型产品包括霍尔集成传感器、结型场效应晶体管、vdmos、IGBT、硅肖特基势垒二极管等。上海华虹NEC电子有限公司成立于1997年7月，为中国大陆集成电路制造业的领先者并致力于集成电路产品的代工服务。公司拥有成熟先进的工艺条件和多年生产功率分立器件的丰富经验，高压高功率IGBT产品是基于华虹NEC的工艺平台开发的。目前拥有两条8英寸生产线，月产能接近9万片。在功率分立器件领域，自2009年以来，华虹NEC连续推出了沟槽400-700V高压MOSFET工艺平台和600-700V超级结结构MOSFET。不久前推出的1200V IGBT标志着华虹NEC在功率器件领域的又一个突破，同时，华虹NEC正在开发的国际领先的1700V到6500V高功率IGBT工艺平台。

　　中国科学院微电子研究所

　　典型产品：IGBT

　　2010年4月初报道由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品(采用Planar NPT器件结构)在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。

　　中国科学院微电子研究所与上海华虹NEC电子有限公司合作典型产品：高压IGBT

　　近期，由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)在1700VIGBT(未说明电流值)研制方面取得了突破性进展。2010年8月，IGBT小组开始第一轮设计沟槽栅。2010年11月，由他们设计完成的芯片，在上海华虹NEC首轮流片时，静态参数达到设计要求。2010年底，他们启动1700伏沟槽栅IGBT的设计。3个月后，流片结果又通过测试，产品均达标。

　　上海华虹NEC电子有限公司2011年9月8日宣布，公司与中国科学院微电子研究所通力合作，开发的6500V (未说明电流值)trenchFS IGBT(沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管)取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

　　编者注：中国科学院微电子研究所有设计技术，但没有流片的手段：工艺、设备和材料。但华虹和华润两家著名微电子企业有后者却缺少前者。研究所和企业相互合作就什么都有了。世界水平的6500V trenchFS IGBT模块就问世了!这就是经验。

　　7天津中环半导体股份有限公司

　　天津中环半导体股份有限公司成立于1999年，主营业务包括单晶硅和抛光片、高压器件、功率集成电路与器件、四大方面。

　　在单晶硅材料领域，形成了以直拉硅棒、区熔硅棒、直拉硅片、区熔硅片为主的四大产品系列。其中区熔系列单晶硅产品产销规模全球排名第三、国内市场份额超过70%;直拉单晶及硅片技术和产销规模方面居国内前列;抛光片产业采用国际一流的新技术、新工艺流程，独立开发具有自主知识产权的大直径硅抛光片生产技术，处于国内领先位置;太阳能硅材料产业经过产业化生产验证。

　　在高压器件领域，主要有高压二极管、硅整流二极管、硅桥式整流器、微波炉用高压二极管、工业用特种高压二极管等产品。年销售额超过2亿元。

　　在功率器件领域，功率器件事业部6英寸0.35微米功率半导体器件生产线是一条以半导体芯片制造、测试为目的的生产线，该生产线拥有国内先进的6英寸线生产设备，设备产能力每月6英寸晶圆达3万片。主要产品为功率集成电路，以及VDMOS、Trench MOS、Schottky、FRD、IGBT等系列功率分立器件。产品广泛应用于电视机、计算机、手机、个人数字助理产品、显示器、微波炉、空调器、洗衣机、电磁炉、电源、电动自行车、节能灯具等。

　　编者注：该公司是一家著名的大型企业。专制造直拉和区熔硅单晶以及它们的深加工。功率半导体器件生产线制造的产品品种规格较多，但在网页上未找到参数表及有关信息，尤其是IGBT产品也没有具体描述。

　　8吉林华微电子股份有限公司

　　吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。

　　公司总资产32亿元，员工3000余人，技术人员占公司总人数的30%以上，占地面积近40万平方米，建筑面积13.5万平方米，净化面积17000平方米，主要净化级别为0.3微米百级。公司于 2001 年3月在上海证券交易所上市。

　　华微电子拥有3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年360余万片，封装资源为30亿只/年。公司主要生产功率半导体器件及IC，应用于消费电子、节能照明、计算机、PC、汽车电子、通讯保护与工业控制等领域。目前公司已形成VDMOS、IGBT、FRED、SBD、BJT等系列产品。在广州组建规模化封装基地，进一步增强市场竞争能力。

　　典型产品：IGBT单管

　　编者注：虽然目前IGBT模块规格单一，电流还不很大，没有高压产品。但它是著名微电子企业，其它产品品种、规格繁多。一旦市场对IGBT有要求，有能力开发，但需要技术和时间。微电子企业转向大功率IGBT等电力电子器件是因为它有工艺、设备和设计手段的优势。

　　9无锡华润微电子有限公司

　　华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业，亦是中国本土规模和影响力最大的综合性微电子企业之一。华润微电子营业规模超过30亿港元。连续6年被国家工业和信息化部评为中国电子信息百强企业之一。

　　公司业务主要包括开放式晶圆代工、集成电路设计、集成电路测试封装及分立器件制造。公司旗下拥有华润上华科技有限公司、无锡华润矽科微电子有限公司、无锡华润安盛科技有限公司及无锡华润华晶微电子有限公司等多家著名的微电子企业。华润上华于1997年开创中国大陆晶圆代工的先河。拥有国内最大的六英吋生产线，月产能达9.1万片，并营运一条八英吋生产线，目前月产能达3万片。公司为客户提供包括BCD、高压CMOS、混合信号、射频、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、DMOS、IGBT、Bipolar以及一系列工艺平台。

　　2010-04-02报道，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品(采用Planar NPT器件结构)在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。

　　IGBT由双极型晶体管(简称“BJT”)和绝缘栅型场效应晶体管(简称“MOSFET”)相结合的电压驱动式功率半导体器件。既有功率MOSFET输入阻抗高，控制功率小，易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有双极晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。在提倡节能减排、低碳经济的时代，具备节能效率高，便于规模化生产，较易实现节能智慧化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。IGBT主要用在家电产品、工业控制、网络通、照明、消费电子、计算机及汽车电子等，而智能电网、高速铁路、新能源汽车为IGBT开辟了更加广泛的应用市场。

　　典型产品：IGBT

　　15-43A /1200V IGBT系列