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MSP430的FLASH信息区学习心得

已有 192 次阅读  2012-09-06 17:00   标签信息  学习心得  FLASH 

430单片机,一般具有内部的信息区,以便保存一些需要EEPROM才可保存的数据。

在论坛没有收到相关信息,就借用网上的,抛砖引玉,如果有什么问题,多多指正,一起掌握!

MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x1000到0x107F,SegmentA的地址是:0x1080到0x10FF。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFF开始,每512字节为一段进行分配。

FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。

复制代码

1.

2. void flash_clr(int *ptr)

3. {

4. _DINT(); //关中断

5. FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁

6. FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除

7. *((int *) ptr) = 0; //* 擦除段

8. }

9.

10. FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。

11. // 字节写入

12. void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)

13. {

14. _DINT();

15. FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁

16. FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入

17. *((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据

18. }

19. // 字写入

20. void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)

21. {

22. _DINT();

23. FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

24. FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

25. *((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */

26. }

27. FLASH存储器可以连续写入

28. // 按字节写入指定的数量的数据

29. void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)

30. {

31. _DINT();

32. FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

33. FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

34. while (len)

35. {

36. *ptr++ = *from++;

37. len--;

38. }

39. }

40.

41. 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:

42. typedef struct Setup

43. {

44. float gain_ch0; // 0通道增益

45. float gain_ch1; // 1通道增益

46. float gain_ch2; // 2通道增益

47. …

48. char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA;

49. }SETUP;

50.

51.

我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。

使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:

复制代码

1.

2. #define SegmentA 0x1080

3. float temp;

4. SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA

5.

6. if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)

7. {

8. temp = p_setup_flash->gain_ch0;

9. }

10.

修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:

复制代码

1.

2. SETUP *p_setup;

3. SETUP buf; // 临时变量

4. p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH

5. memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM

6. p_setup = &buf; // 指向RAM

7. p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数

8. flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH

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