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MOS(场效应管)NTR1P02T1G

已有 73 次阅读  2019-05-24 15:39   标签NTR1P02T1G 

  产品型号:NTR1P02T1G

  商品目录:MOS(场效应管)

  连续漏极电流(Id)(25°C时):1A

  漏源电压(Vdss):20V

  栅源极阈值电压(最大值):2.3V@250uA

  漏源导通电阻(最大值):180mΩ@1.5A,10V

  类型:P沟道

  功率耗散(最大值):400mW


  NTR1P02T1G特性:

  超低的On-Resistance提供更高的效率和延长电池寿命

  RDS(on)=0.180,VGS=-10v

  RDS(on)=0.280,VGS=-4.5V

  便携式和电池供电产品的电源管理

  小型SOT-23表面安装包节省了电路板空间

  提供SOT-23软件包的安装信息

  NVR前缀,适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用程序;AEC-Q101合格,PPAP合格

  这些设备不含铅,符合RoHS


  应用程序:

  直流-直流转换器

  电脑

  打印机

  PCMCIA卡

  蜂窝电话和无绳电话


  订购信息:


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