AO3420采用高密度DMOS管沟生产技术，尤其是用于最小化开启状态的技术抗性。这个装置特别适合低压便携式设备、电源管理等应用和其他电池供电电路，以及低串联电源。

　　AO3420特征：

　　VDS20V，VGS8V，ID2.2A，

　　Rds（开）=75MΩ@Vgs=4.5V。

　　Rds（开）=90MΩ@Vgs=2.5V。

　　先进的沟道工艺技术

　　超低导通电阻的高密度电池设计

　　紧凑型和薄型SOT23封装

　　参数说明：

　　产品型号：AO3420

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　额定工作电流：2.2A(Ta)

　　漏源电压（Vdss）：20V

　　栅源极阈值电压（最大值）：2V@50uA

　　漏源导通电阻（最大值）：85mΩ@3.6A,4.5V

　　类型：N-Channel

　　功率耗散（最大值）：350mW(Ta)

　　除非另有规定，否则Ta=25°C时的绝对最大额定值：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±8V

　　漏电流：

　　连续：2.2a

　　脉冲：10A

　　功耗：350mw

　　操作和储存接头温度范围：-55至+150°C

　　除非另有规定，否则Ta=25°C时的电气特性：

　　以上由维库进行整理编辑，如有采购需求，请来站咨询，保证原装现货IC。

上一篇： 拨动开关电器性能和机械性能 下一篇： STD3NK80Z-1特征应用