K9F1208UOC/HY27US08121B兼容型号AFND1208(ATO)
已有 162 次阅读 2014-03-13 21:51 标签: ATO SAMSUNG HYNIX NAND FLASHK9F5608UOC/D/M HY27US08561A兼容型号AFND5608U1
K9F1208UOC/D/M HY27US08121B兼容型号AFND1208U1
K9F1G08UOB/C/M HY27UF081G2A兼容型号AFND1G08U3
韩国ATO公司借由独特性设计技术让产品微型化,大幅提高了ATO产品成本上的竞争力,ATO 256Mb ,512Mb ,1Gb 的NAND Flash SLC以及SPI FLASH以扩大现有低容量产品线阵容。相对NOR Flash,NAND Flash通常只有在具有技术优越性的国际记忆体大厂才有能力生产。凭藉着高品质与价格竞争优势,ATO毫无疑问的脱颖而出。主要产品应用于相机、对讲机,手机、LED电视,机顶盒等领域,占总NAND Flash市场约10%。ATO的看好市场的空缺,其产品不仅可以替代市场上大厂Samsung、Hynix、ST、 Micron等停产的容量的NAND FLASH,同时为工程师们提供了更多的新思路,可以替代之前使用nor flash的产品。
以下是ATO主推型号:
256Mbit (32Mx8Bit)NAND FLASH
ATO型号:AFND5608U1
封装:TSOP48/FBGA48
兼容型号:SAMSUNG-K9F5608UOC/D/M HYNIX -HY27US08561A等
512Mbit (64Mx8Bit)NAND FLASH
ATO型号:AFND1208U1
封装:TSOP48/FBGA48
兼容型号:SAMSUNG-K9F1208UOC/D/M HYNIX-HY27US08121A/B 等
1G bit (128Mx8Bit)NAND FLASH
ATO型号: AFND1G08U3
封装:TSOP48/FBGA48
兼容型号:SAMSUNG-K9F1G08UOB/C HYNIX-HY27UF081G2A等
1G bit (128Mx8Bit) SPI NAND FLASH
型号:ATO25D1GA
封装:WSON/ SOIC
......
美国EXAR运放、接口、电源芯片(兼容ADI、TI、MAXIM等)
英国ISOCOM光耦(兼容TOSHIBA、AVAGO等 )
韩国ATO NAND FLASH (兼容SAMSUNG、HYNIX等)
美国ALLIANCE SRAM SDRAM DDR(不改版,不停产,货期短)
Email: Tom@szdst.com.cn/1300 666 7022/QQ 24188 00476
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