周桂华的日志

原创：应用串行NOR闪存提升内存处理能力

热1已有 152 次阅读 2012-12-13 10:59 标签: 内存提升能力

Improve Memory Throughput with SPI NOR Flash
■ Spansion公司

在嵌入式系统中，NOR闪存一直以来仍然是较受青睐的非易失性内存，NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品。虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案，但NOR仍然是低密度解决方案的首选之一。

    未来闪存产品具有快速发展的趋势，可以发现，闪存产品从低密度、低性能、低功能的发展特点转变为高密度、高性能、高功能的发展特点。Spansion的NOR闪存广泛运用于汽车电子、医疗设备、通讯设备、机顶盒等。

SPI Flash特性

    SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪80年代中期，由摩托罗拉在其MC68HC系列中首先引入，MicroWire是由国半制定的总线标准，它和SPI非常相似，只是MicroWire的时钟极性CPOL和时钟相位CPHA是固定的，均为0。I2C也是出现在80年代，由Philips制定，它通过一条数据线和一条时钟线实现半双工通信，I2C总线接口实现了最简单的总线接口方式。三种标准如图1所示。

    SPI和MicroWire很相近，速度非常快，且在设计中无需上拉电阻，可以支持全双工通信操作，抗干扰能力强，缺点是需要占用较多的数据总线，且需要为设备分配单独的片选信号，没有接收数据的硬板机制。对I2C总线来说，它占用的总线较少，可以多个设备共同用一根总线，支持接收数据的硬板机制，缺点是速度较低，为3.4MHz以下，只支持半双工的操作，设计时需要上拉电阻，且对噪声的干扰相对敏感。