随着诸如平板电脑和智能手机等便携式设备的迅速增长和不断涌现，要想实施电池管理以达到更高的电池供电系统性能，变得越来越困难。电池管理系统必须拥有一定的智能，以支持各种适配器类型和电池化学物质，并提高电池充电效率。与此同时，提供良好的用户体验也越来越重要，例如：系统快速开机、长电池使用时间和快速充电等。本文将讨论如何利用输入电流和输入电压型动态电源管理 (DPM) 控制来提高电池充电性能，以防止系统崩溃以及最大化适配器有效功率，并为您说明延长电池工作时间的一些重要设计考虑因素。
引言

    终端用户对于快速充电和高效充电的需求日益增长。锂离子(Li-Ion)电池是一种理想的选择，因为其拥有非常高的能量密度。这种电池具有高充电电流，能够很好地适用于10英尺平板电脑应用，可用于6 Ah以上的高电池组容量。平板电脑要求具有优异的散热性能和快速开机特性，即使是深度放电的电池也是如此。这些要求给设计人员带来了诸多设计挑战。首先是，如果最大化电源的有效功率，以高效、快速地对电池充电同时电源不能崩溃。其次是，如何在系统保持运行的同时，对深度放电的电池进行充电。最后是如何提高散热性能。

动态电源路径管理

    如何最大化有效功率，从而实现快速、高效的电池充电呢？所有电源都有其输出电流或者功率限制。例如，高速USB(USB2.0)端口的最大输出电流为500 mA，而超高速USB(USB3.0) 端口的最大输出电流为900 mA。如果系统功率需求超出电源的有效功率，电源便会崩溃。对电池充电时，我们如何在最大化功率输出的同时防止电源崩溃呢？我们使用了三种控制方法：输入电流型DPM、输入电压型DPM和电池补充模式。

    图1显示了使用DPM控制的高效开关模式充电器。MOSFET Q2和Q3以及电感L组成一个同步开关降压式电池充电器。这种组成方法达到了最高电池充电效率，充分利用适配器功率，从而实现了最为快速的电池充电。MOSFET Q1用作一个电池反向阻塞MOSFET，目的是防止电池漏电通过MOSFET Q2体二极管流至输入。另外，它还用作一个输入电流检测组件，以监控适配器电流。

    MOSFET Q4用于主动监测和控制电池充电电流，以实现DPM。当输入功率足以同时支持系统负载和电池充电时，使用ICHG理想充电电流值对电池充电。如果系统负载ISYS突然增加，并且其总适配器电流达到电流限制设置IREF，则输入电流调节环路主动进行调节，并将输入电流维持在预定义输入基准电流IREF电平。通过降低充电电流并优先为系统供电，让其达到最高系统性能，可以实现这个目标。因此，可以在输入电源不崩溃的情况下，始终最大化输入功率，同时在系统和电池充电之间动态地共享有效功率。