SI7192DP-T1-GE3_Vishay(威世)
已有 116 次阅读 2019-01-09 14:29型号: | SI7192DP-T1-GE3 |
制造商: | Vishay / Siliconix |
RoHS: | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
封装: | Reel |
说明: | MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 60 A |
导通电阻 | 1.85 mOhms |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | PowerPAK SO-8 |
封装 | Reel |
商标 | Vishay / Siliconix |
下降时间 | 32 ns |
正向跨导 - 最小值 | 107 S |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 6.25 W |
上升时间 | 26 ns |
系列 | SI71xxDx |
工厂包装数量 | 3000 |
典型关闭延迟时间 | 86 ns |
零件号别名 | SI7192DP-GE3 |
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