混合集成电路（Hybrid Integrated Circuit）是由半导体集成工艺与厚（薄）膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。具有组装密度大、可靠性高、电性能好等特点。 　　随

　　首先来讲讲电感品质因数Q的定义 　　Q值是衡量电感—— SLF12575T-221M1R3-PF 器件的主要参数.是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比.电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高. 　　品质因数Q是反映线圈质量的重要参数，提高线圈的Q值，可以说是绕制线圈要注意的重点之一。

　　1.三相桥式全控整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通，而且这两个晶闸管一个是共阴极组，另一个是共阳极组的，只有它们能同时导通，才能形成导电回路。 　　2. 三相桥式全控整流—— MBRA130LT3G 电路就是两组三相半波整流电路的串联，所以与三相半波整流电路一样，对于共阴极组触发脉冲的要求是保证晶闸管

　　顾名思义就是串行外围设备接口。SPI是一种高速的、全双工、同步通信总线，标准的 SPI 也仅仅使用4个引脚，常用于单片机- EPM240T100C5N 和 EEPROM、FLASH、实时时钟、数字信号处理器等器件的通信。SPI 通信原理比 I2C 要简单，它主要是主从方式通信，这种模式通常只有一个主机和一个或者多个从机，标准的 SPI 是4根

　　晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 　　

　　通过对单管共射放大电路的分析和计算，使得放大电路的组成原则更明确和具体了。放大的关键是发挥晶体管的控制作用。在共射电路中，晶体管的b-e为输入端，c-e为输出端，利用iB对iC的控制作用，实现了电流放大和电压放大。有没有其他的控制关系呢？比如，能不能用iB去控制iE？用iE去控制iC？用iC去控制iE？在实现这些控

　　二极管，又称瞬态抑制二极管—— 1N5403-E3 ，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。 　　当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从

　　一、肖特基二极管简介 　　肖特基二极管—— BAT54SWT1G 是德国科学家肖特基（Schottky）1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短（10ns以内）等优点。 　　应用特点：适合于高

　　随着工程师们对数字电源这项技术及其优势的熟知，各式各样的数字电源的发展势头日益强劲。电源系统和电源设计人员已经意识到，部署数字电源并不是对现有技术进行革命性转变的全新设计。由于目前市场上数字电源器件种类繁多，设计人员可以立即利用其巨大优势，应用到任一设计项目。可以于此获得极有价值并且相当丰富的

　　单片机- STM32F405VGT6 构成的多机通信系统中常采用总线型主从式结构。在多个单片机组成的系统中，只允许存在一个主机，其他的就是从机，从机要服从主机的控制，这就是总线型主从式结构。 　　当51单片机进行多机通信时，串口要工作在方式2和方式3。假设当前多机通信系统有1个主机和3个从机，从机地址分别是00H、