SuperMESH?系列是通过对ST已建立的基于条带的PowerMESH?布局进行极端优化而获得的。除了显着降低导通电阻外，还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。这种系列补充了ST全系列的高压MOSFET，包括革命性的MDmesh产品。

　　STD4NK80ZT4产品特征：

　　非常高的dv/dt能力

　　雪崩测试100%

　　最低栅极电荷

　　非常低的内在电容

　　很好的重复性制造

　　STD4NK80ZT4一般特征：

　　STD4NK80ZT4电气额定值：

　　1、仅限允许的最高温度

　　2、安全操作范围限制脉冲宽度

　　3、ISD小于4A，DI/dt小于200A/s，VDD±V（BR）DSS，TJ不太TJMAX

　　栅-源齐纳二极管的保护特性：

　　内置背靠背齐纳二极管专门设计成不仅增强器件的ESD能力，而且使它们安全地吸收可能偶尔从栅极施加到源的电压瞬变。在这方面，齐纳电压是

　　适当地实现有效和成本效益的干预，以保护设备的完整性。这些集成齐纳二极管因此避免了外部元件的使用。

　　电气特性：

　　包装机械数据：

　　为了满足环境要求，ST提供这些设备在ECOPACK?封装。这些封装有一个无铅的第二级互连。第二级互连的类别被标记在封装上和内部框标签上。

　　符合JEDEC标准JESD97。与焊接条件相关的最大额定值也标注在内盒标签上。ECOPAK是一个ST商标。